IPG20N06S2L35ATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	65W
Исполнение корпуса	PG-TDSON-8-4
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	65W
Исполнение корпуса	PG-TDSON-8-4
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V

IPG20N06S2L35ATMA1

IPG20N06S2L35ATMA1 характеристики