Каталог товаров
Назад

IPG16N10S461AATMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 8TDSON


IPG16N10S461AATMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 29W
Исполнение корпуса PG-TDSON-8-10
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 29W
Исполнение корпуса PG-TDSON-8-10
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V

IPG16N10S461AATMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IPG16N10S461AATMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы IPG16N10S461AATMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1117 ₽
+ 167550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 916 ₽
+ 274800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 914 ₽
+ 274200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 687 ₽
+ 206100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1012 ₽
+ 303600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 911 ₽
+ 273300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 606 ₽
+ 181800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов