GA10SICP12-263 характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-8, D?Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK (7-Lead)
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-8, D?Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK (7-Lead)
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

GA10SICP12-263

GA10SICP12-263 характеристики