GA100JT12-227 характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	535W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	535W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

GA100JT12-227

GA100JT12-227 характеристики