FDD6612A характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

FDD6612A

FDD6612A характеристики