DMN32D4SDW-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	290mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	290mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V

DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7 характеристики