DMN32D2LDF-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	280mW
Исполнение корпуса	SOT-353
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Source
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	39pF @ 3V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	280mW
Исполнение корпуса	SOT-353
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Source
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	39pF @ 3V

DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7 характеристики