DMN3012LFG-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerLDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.2W
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerLDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.2W
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7 характеристики