DMN26D0UDJ-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-963
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-963
Base Part Number	DMN26D0UDJ
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-963
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-963
Base Part Number	DMN26D0UDJ
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V

DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7 характеристики