DMN21D1UDA-7B характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, No Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	310mW
Исполнение корпуса	X2-DFN0806-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	455mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, No Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	310mW
Исполнение корпуса	X2-DFN0806-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	455mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V

DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B характеристики