DMN2019UTS-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	780mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMN2019
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	780mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMN2019
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V

DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13 характеристики