DMN2016UTS-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	880mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMN2016U
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1495pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	880mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMN2016U
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1495pF @ 10V

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13 характеристики