DMN2005DLP4K-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, No Lead
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	X2-DFN1310-6
Base Part Number	DMN2005DLP4K
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, No Lead
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	X2-DFN1310-6
Base Part Number	DMN2005DLP4K
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7 характеристики