DMHC3025LSDQ-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V

DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13 характеристики