DMG9926UDM-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	980mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMG9926UDM
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	856pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	980mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMG9926UDM
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	856pF @ 10V

DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7 характеристики