DMG6301UDW-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMG6301
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.36nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27.9pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMG6301
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.36nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27.9pF @ 10V

DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7 характеристики