DMG5802LFX-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	980mW
Исполнение корпуса	W-DFN5020-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	24V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1066.4pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	980mW
Исполнение корпуса	W-DFN5020-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	24V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1066.4pF @ 15V

DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7 характеристики