Каталог товаров
Назад

DMC62D0SVQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R


DMC62D0SVQ-7 характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 510mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-563
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, 6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V

Характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 510mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-563
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, 6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V

DMC62D0SVQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
DMC62D0SVQ-7
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMC62D0SVQ-7. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMC62D0SVQ-7 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1117 ₽
+ 167550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 916 ₽
+ 274800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 914 ₽
+ 274200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 687 ₽
+ 206100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1012 ₽
+ 303600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 911 ₽
+ 273300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 606 ₽
+ 181800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов