Каталог товаров
Назад

DMC2990UDJQ-7B

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963


DMC2990UDJQ-7B характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-963
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 350mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-963
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V

Характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-963
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 350mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-963
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V

DMC2990UDJQ-7B

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMC2990UDJQ-7B. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMC2990UDJQ-7B купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1116 ₽
+ 167400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 912 ₽
+ 273600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 912 ₽
+ 273600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 686 ₽
+ 205800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
348 шт.
от 1011 ₽
+ 303300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 910 ₽
+ 273000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
302 шт.
от 673 ₽
+ 201900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 605 ₽
+ 181500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
371 шт.
от 673 ₽
+ 201900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3410 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 673 ₽
+ 201900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов