Каталог товаров
Назад

DMC2700UDMQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3


DMC2700UDMQ-7 характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.12W (Ta)
Исполнение корпуса SOT-26
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V

Характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.12W (Ta)
Исполнение корпуса SOT-26
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V

DMC2700UDMQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3
DMC2700UDMQ-7
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMC2700UDMQ-7. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMC2700UDMQ-7 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1094 ₽
+ 164100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 895 ₽
+ 268500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 895 ₽
+ 268500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 673 ₽
+ 201900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
338 шт.
от 992 ₽
+ 297600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 892 ₽
+ 267600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
240 шт.
от 660 ₽
+ 198000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 593 ₽
+ 177900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
351 шт.
от 660 ₽
+ 198000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3410 шт.
от 596 ₽
+ 178800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
301 шт.
от 660 ₽
+ 198000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 596 ₽
+ 178800 баллов