Каталог товаров
Назад

DF23MR12W1M1B11BOMA1

  • Описание
    MOSFET MODULE 1200V 25A


DF23MR12W1M1B11BOMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolSiC™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20mW
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolSiC™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20mW
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V

DF23MR12W1M1B11BOMA1

  • Описание
    MOSFET MODULE 1200V 25A
DF23MR12W1M1B11BOMA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DF23MR12W1M1B11BOMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DF23MR12W1M1B11BOMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Сопутствующие товары
шт.
12 шт.
от 17770 ₽
+ 2666 баллов

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1117 ₽
+ 167550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 916 ₽
+ 274800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 914 ₽
+ 274200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 687 ₽
+ 206100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1012 ₽
+ 303600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 911 ₽
+ 273300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 606 ₽
+ 181800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 674 ₽
+ 202200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов