+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

BSO615NGHUMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC


BSO615NGHUMA1 характеристики
Производитель Infineon Technologies
Серия SIPMOS®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса PG-DSO-8
Base Part Number BSO615
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V

Характеристики
Производитель Infineon Technologies
Серия SIPMOS®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса PG-DSO-8
Base Part Number BSO615
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V

BSO615NGHUMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
BSO615NGHUMA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSO615NGHUMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSO615NGHUMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1117 ₽
+ 167550 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 921 ₽
+ 276300 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 914 ₽
+ 274200 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 693 ₽
+ 207900 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1020 ₽
+ 306000 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 918 ₽
+ 275400 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 610 ₽
+ 183000 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 608 ₽
+ 182400 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 613 ₽
+ 183900 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город