Каталог товаров
Назад

BSO303PNTMA1

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO


BSO303PNTMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса P-DSO-8
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса P-DSO-8
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V

BSO303PNTMA1

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
BSO303PNTMA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSO303PNTMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSO303PNTMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1101 ₽
+ 165150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 900 ₽
+ 270000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 900 ₽
+ 270000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 677 ₽
+ 203100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
338 шт.
от 997 ₽
+ 299100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 898 ₽
+ 269400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
240 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 597 ₽
+ 179100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
351 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3410 шт.
от 600 ₽
+ 180000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
301 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 600 ₽
+ 180000 баллов