BSC0910NDIATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	PG-TISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	PG-TISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V

BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 характеристики