AUIRFN8458TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	34W (Tc)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 26A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	34W (Tc)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 26A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 25V

AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR характеристики