AOD8N25 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	78W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	306pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	78W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	306pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

AOD8N25

AOD8N25 характеристики