1SS307E,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-79, SOD-523
Исполнение корпуса	SC-79
Тип диода	Standard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	100mA
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.3V @ 100mA
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10nA @ 80V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	80V
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рабочая температура pn-прехода	150°C (Max)
Емкость @ Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-79, SOD-523
Исполнение корпуса	SC-79
Тип диода	Standard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	100mA
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.3V @ 100mA
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10nA @ 80V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	80V
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рабочая температура pn-прехода	150°C (Max)
Емкость @ Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz

1SS307E,L3F

1SS307E,L3F характеристики