IXFN230N20T характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	GigaMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	1090W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	378nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	28000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	GigaMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	1090W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	378nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	28000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IXFN230N20T

IXFN230N20T характеристики