IXFN32N100Q3 характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	780W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9940pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	780W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9940pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 характеристики