FTCO3V455A1 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SPM®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	19-PowerDIP Module
Рабочая температура	175°C (TJ)
Рассеивание мощности	115W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.66 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SPM®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	19-PowerDIP Module
Рабочая температура	175°C (TJ)
Рассеивание мощности	115W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.66 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

FTCO3V455A1

FTCO3V455A1 характеристики