Каталог товаров
Назад

APTC60AM45BC1G

  • Описание
    MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1


APTC60AM45BC1G характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия CoolMOS™
Part Status Active
Упаковка Bulk
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP1
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250W
Исполнение корпуса SP1
Тип полевого транзистора 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 24.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V

Характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия CoolMOS™
Part Status Active
Упаковка Bulk
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP1
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250W
Исполнение корпуса SP1
Тип полевого транзистора 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 24.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V

APTC60AM45BC1G

  • Описание
    MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
APTC60AM45BC1G
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на APTC60AM45BC1G. Транзисторы — полевые — массивы производства Microsemi Corporation доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы APTC60AM45BC1G купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
85 шт.
от 911 ₽
+ 273300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
23 шт.
от 911 ₽
+ 273300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 685 ₽
+ 205500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
608 шт.
от 1010 ₽
+ 303000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 909 ₽
+ 272700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
364 шт.
от 672 ₽
+ 201600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 604 ₽
+ 181200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
367 шт.
от 672 ₽
+ 201600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3784 шт.
от 607 ₽
+ 182100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
245 шт.
от 672 ₽
+ 201600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
41 шт.
от 607 ₽
+ 182100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
27 шт.
от 1123 ₽
+ 168450 баллов