APT100F50J характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	POWER MOS 8™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	960W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	620nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	POWER MOS 8™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Рассеивание мощности (Макс)	960W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	620nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

APT100F50J

APT100F50J характеристики