H11A3VM характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	7500Vpk
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.18V
Выходное напряжение (Макс)	30V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	2µs, 2µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	7500Vpk
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.18V
Выходное напряжение (Макс)	30V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	2µs, 2µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

H11A3VM

H11A3VM характеристики