DG419LDQ-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-MSOP
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	20 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	43ns, 31ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-71dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-MSOP
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	20 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	43ns, 31ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-71dB @ 1MHz

DG419LDQ-T1-E3

DG419LDQ-T1-E3 характеристики