ZVNL120GTA характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	85pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	85pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 5V
Vgs (Max)	±20V

ZVNL120GTA

ZVNL120GTA характеристики