SI3853DV-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	830mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	830mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3 характеристики