IRLR8729TRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	55W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	55W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF характеристики