HUFA76609D3ST характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	UltraFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	49W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	UltraFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	49W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

HUFA76609D3ST

HUFA76609D3ST характеристики