FDZ291P характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-VFBGA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	9-BGA (1.5x1.6)
Рассеивание мощности (Макс)	1.7W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-VFBGA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	9-BGA (1.5x1.6)
Рассеивание мощности (Макс)	1.7W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

FDZ291P

FDZ291P характеристики