DMN26D0UT-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7 характеристики