BSS123-7-F характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

BSS123-7-F

BSS123-7-F характеристики