Каталог товаров
Назад

SI5519DU-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET


SI5519DU-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® ChipFET™ Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 10.4W
Исполнение корпуса PowerPAK® ChipFet Dual
Base Part Number SI5519
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® ChipFET™ Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 10.4W
Исполнение корпуса PowerPAK® ChipFet Dual
Base Part Number SI5519
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V

SI5519DU-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
SI5519DU-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на SI5519DU-T1-GE3. Транзисторы — полевые — массивы производства Vishay Siliconix доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы SI5519DU-T1-GE3 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1130 ₽
+ 169500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
85 шт.
от 924 ₽
+ 277200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 924 ₽
+ 277200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 695 ₽
+ 208500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1023 ₽
+ 306900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 921 ₽
+ 276300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
258 шт.
от 681 ₽
+ 204300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
50 шт.
от 681 ₽
+ 204300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 615 ₽
+ 184500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
383 шт.
от 681 ₽
+ 204300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
41 шт.
от 615 ₽
+ 184500 баллов