QS6M3TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	TSMT6 (SC-95)
Base Part Number	*M3
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V, 20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	TSMT6 (SC-95)
Base Part Number	*M3
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V, 20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V

QS6M3TR

QS6M3TR характеристики