DMG1023UV-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	530mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMG1023UV
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.03A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 430mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	59.76pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	530mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMG1023UV
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.03A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 430mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	59.76pF @ 16V

DMG1023UV-7

DMG1023UV-7 характеристики