DMG1016V-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	530mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMG1016V
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	530mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMG1016V
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 16V

DMG1016V-7

DMG1016V-7 характеристики