SI2305CDS-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 характеристики