SI1965DH-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1965
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1965
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V

SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3 характеристики