Каталог товаров
Назад

SI1539DL-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6


SI1539DL-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1539
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1539
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

SI1539DL-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
SI1539DL-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на SI1539DL-T1-GE3. Транзисторы — полевые — массивы производства Vishay Siliconix доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы SI1539DL-T1-GE3 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1144 ₽
+ 171600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
85 шт.
от 935 ₽
+ 280500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 935 ₽
+ 280500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 704 ₽
+ 211200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1036 ₽
+ 310800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 933 ₽
+ 279900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
258 шт.
от 690 ₽
+ 207000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 620 ₽
+ 186000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
50 шт.
от 690 ₽
+ 207000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3564 шт.
от 623 ₽
+ 186900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
383 шт.
от 690 ₽
+ 207000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
41 шт.
от 623 ₽
+ 186900 баллов