SI1035X-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SC-89-6
Base Part Number	SI1035
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	400mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SC-89-6
Base Part Number	SI1035
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	400mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

SI1035X-T1-GE3

SI1035X-T1-GE3 характеристики