DMG1016UDW-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	330mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMG1016UDW
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.07A, 845mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	330mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMG1016UDW
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.07A, 845mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 10V

DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 характеристики